DDR3: tanta capienza per Samsung, record di mhz per Buffalo

Lunedì 29 Settembre 2008 17:59 Scritto da Administrator

ram

Se da un lato Samsung sta lavorando a moduli di memoria DDR3 da 16GB da capienza, Buffalo predilige invece concentrarsi sulla frequenza di funzionamento, i cui prototipi arrivano ad operare fino ad un massimo di 2400MHz di frequenza (2,4GHz).

La proposta di Buffalo, per ora concretizzata solo in prototipi da laboratorio, è davvero eccezionale: la frequenza di 2,4GHz (ufficialmente non riconosciuta dal JDEC) è il 50% in più rispetto alle usuali soluzioni DDR3 operanti a 1,6GHz. E' anche vero, però, che per raggiungere tali frequenze è stato necessario rilassare i timing a 11-11-11-34 e aumendare il vdimm a 2.1V (quando normalmente il voltaggio di alimentazione "canonico" per le DDR3 è pari a 1.5V). Sebbene tali valori possano sembrare spropositati, pare che tali moduli siano stabili a 2096MHz con un voltaggio pari a 1.5V e timing 9-10-9-24. Tali risultati, che appaiono sorprendenti, sono stati raggiunti grazie all'impiego di nuovi e prestanti chip Elpida. La produzione "in massa" di tali moduli dovrebbe essere imminente.

Risulta chiaro che Buffalo ha progettato tali moduli in previsione con l'uscita di Nehalem; tuttavia il controller di memoria integrato DDR3 di Nehalem (che ricordo essere trichannel) supporta una frequenza massima ufficiale pari a 1066MHz per le DDR3, ed inoltre il range di voltaggio di alimentazione per le memorie varia tra gli 1.5V e gli 1.6V. Si spera dunque che, impostando 2.1V (ammesso che l'MCH permetta di farlo), tale voltaggio, sicuramente normalmente elevato, non danneggi il memory controller o comunque non alteri il corretto funzionamento dell'interfacciamento della CPU con la memoria.

Samsung, invece, ha progettato moduli DDR3 con tecnologia a 50nm con capacità massima pari a 16GB. E' chiaro che tali moduli saranno destinati quasi esclusivamente al mercato server. L'utenza domestica non ha certo bisogno di quantitativi così elevati, tranne in rare situazioni. Secondo Samsung, tali chip, ciascuno da 2Gb e 50nm, offrono densità doppia rispetto agli attuali chip da 1Gb e permettono di risparmiare più del 40% di energia rispetto ai predecessori. In realtà, questi nuovi chip saranno disponibili anche in moduli da 8GB o 4GB (questi ultimi destinati ai notebook). Utilizzando un package double-side, sarà dunque possibile raggiungere la densità di 16GB per desktop e server.

Tali chip supportano trasferimenti massimi pari a 1.3Gb/s operando a 1.5V o 1.35V. La produzione sarà avviata nel 2009.

Si spera dunque che tali moduli raggiungano prezzi più "umani": attualmente un modulo DDR2 da 8GB costa la bellezza di 1000 dollari...

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