Samsung inventa PRAM, le memorie RAM perfette

Giovedì 07 Maggio 2009 09:29 Scritto da Administrator

Samsung PRAM

Samsung inizierà la produzione in volumi delle PRAM a Giugno. Parliamo di chip di memoria estremamente veloci e caratterizzati da una durata pari a 10 volte superiore rispetto alle convenzionali memorie flash. Un nuovo spiraglio anche per gli SSD, dunque?

Come riportato su CDRinfo, le Phase-change Random Access Memory (PRAM), soprannominate da molti "perfect RAM", sono la prossima generazione di chip di memoria che traggono vantaggi dalle memorie flash NAND o NOR. Sono chip di memoria che utilizzano un materiale che diventa cristallino quando riscaldato. I bit cristallini rappresentano l'1 logico nel sistema binario dei computer, mentre le aree amorfe (bit) rappresentano lo 0 logico.

Le PRAM sono molto più scalabili rispetto a qualunque altra architettura di memorie e vanta elevata velocità di elaborazione unita alla sua capacità di mantenere i dati (memoria non-volatile). Uno dei principali vantaggi delle PRAM è rappresentato dalle performance velocistiche estreme. Poichè le PRAM possino riscrivere i dati su di esse senza prima cancellare i dati dapprima memorizzati, sono effettivamente 30 volte più veloci rispetto alle memorie flash convenzionali.

Le PRAM godono inoltre di un MTBF 10 volte maggiore rispetto alla durata delle convenzionali memorie flash. Il costo dei chip non dovrebbe essere neppure estremamente elevato grazie alla facilità degli step produttivi rispetto, ad esempio, a quelli necessari per la produzione di memorie NOR.

Samsung ha iniziato a lavorare alle PRAM già dal 2005 ed anticiperà la produzione in volumi di questi innovativi chip di memoria Phase change RAM da Giugno, per mantenere il primato e la sua leadership nel mercato delle memorie. Il produttore ha già annunciato di rilasciare dei sample di chip PRAM da 512MB e iniziare la produzione in volumi della nuova linea da 200mm a partire da Giugno.

Le PRAM troveranno probabilmente applicazione nei dispositivi portatili multi-funzioni e in altre applicazioni sempre relative all'ambito "mobile", in cui maggiori velocità si traducono in incrementi di performance immediatamente evincibili.

Potrebbe anche essere fattibile l'integrazione delle PRAM, in sostituzione degli attuali chip NAND flash, nei drive a stato solido SSD, molti dei quali attualmente sono afflitti da performance basse soprattutto in lettura/scrittura random e hanno un'aspettativa di vita quasi sempre inferiore ai classici hard disk. Senza contare poi possibili riduzioni dei costi degli SSD proprio grazie all'implementazione dei nuovi chip di memoria Samsung...